Il giovanissmo ricercatore cinese Weixiao Huang ha messo a punto un nuovo tipo di transistor, il componente più diffuso nei moderni circuiti elettronici, basato su un composto di GaN ovvero il Nitruro di Gallio.
Questo nuovo tipo di transistor ha la particolarità di ridurre l’assorbimento di corrente e quindi di energia e migliorare l’efficienza complessiva dei sistemi elettronici di potenza che vanno dagli azionamenti dei motori a quelli dei veicoli ibridi fino gli elettrodomestici e alle apparecchiature militari.

Come gia detto, un componente importante degli apparecchi dell’elettronica odierna è solitamente un transistor basato sul silicio noto come Semiconduttore Metallo/Ossido Transistor ad Effetto di Campo (MOSFET: Metal/Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). Per convertire l’energia elettrica in altre forme, il transistore funge da interruttore, permettendo o impedendo il flusso della corrente attraverso il dispositivo.

Huang è stato il primo ad aver sviluppato un nuovo processo che dimostra un’eccellente interfaccia per i transistor MOS GaN (Metallo/Ossido/GaN). Il composto GaN ed altri composti chimici basati sul gallio sono noti agli studiosi per le particolari proprietà elettriche, superiori a quelle silicio. Tuttavia, nessun transistor MOS GaN utilizzabile in applicazioni reali è stato sviluppato. L’innovazione portata da Huang, il primo MOSFET GaN, ha già mostrato prestazioni da record.

I nuovi transistori possono ridurre notevolmente la perdita di energia (attraverso lo sviluppo di calore), rendendo la conversione di energia più efficiente. Se questi nuovi transistori GaN sostituissero i MOSFET attuali al silicio nei sistemi di elettronica di potenza, ci sarebbe una riduzione globale del consumo di combustibile fossile e inquinamento. Parola di Huang.